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产品分类
产品信息
深圳市宏德伟创科技有限公司(美国泰德授权代理）
联系人：张小姐 QQ:1027977946
（原厂原装，美国设计，原厂技术支持，质量保证）
TDM3307A 特点
GENERAL FEATURES
PPAK*3‐8 Package
属性
参数值
商品目录
MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
24A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
10.5mΩ @ 13A,10V
功率耗散（Ta=25°C）
2.5W
类型
P沟道
针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封装的MOSFET，泰德公司推出全系列的MOSFET：TDM3307A，TDM3452,TDM3458,TDM3478，TDM3564，TDM3408， TDM3412，TDM3436， TDM3482等。详情请联系张小姐，泰德授权代理，可提供技术支持！